구조적 불균일성의 이점 : 반용매 스핀 처리를 통한 형상 비정형 및 연성 껍질 구조 InAs 나노결정 고체의 퍼콜레이션 수송 활성화
Structural Inhomogeneity as an Advantage: Poor-Solvent Spin Treatment Activates Percolative Transport in Shape-Irregular, Soft-Shelled InAs Nanocrystal Solids
- 주제(키워드) InAs 나노결정 , 전하 수송 , 반용매 처리 , 비정형 나노결정
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 강문성
- 발행년도 2026
- 학위수여년월 2026. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 화공생명공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000082318
- UCI I804:11029-000000082318
- 본문언어 한국어
- 저작권 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록(요약문)
InAs 나노결정은 우수한 광학적 특성과 친환경성으로 주목받고 있으나, 긴 리간드로 인한 낮은 전하 수송 효율과 이를 해결하기 위한 리간드 치환 과정에서의 표면 결함 발생이 한계로 지적된다. 본 연구에서는 리간드 제거 없이 비정형 (ill-shaped) 나노결정의 기하학적 특성과 반용매 (poor solvent) 처리를 이용하여 이를 극복하는 새로운 접근법을 제시한다. 초기 패킹이 느슨한 비정형 DMA-InAs 박막에 메탄올을 처리하여 고밀도 패킹을 유도한 결과, 약 의 이동도를 나타내며 전기적 특성이 크게 향상되었다. 초기 박막 형성 과정에서 이미 조밀하게 패킹된 구형 TMS-InAs는 메탄올 처리 전후 전기적 특성의 변화가 없었으며, DMA-InAs에 대한 FT-IR 및 XRR 분석을 통해 리간드 손실 없는 물리적 박막 수축과 전자 밀도 증가를 정량적으로 규명하였다. 본 연구는 형상 제어와 후처리를 통해 결함을 최소화하면서도 고성능 소자를 구현할 수 있는 새로운 가능성을 제시한다.
more목차
목차 ⅰ
표 차례 ⅱ
그림 목차 ⅲ
국문 초록 ⅵ
Abstract ⅶ
1. 서론
1.1. 연구 배경 1
1.2. 이론적 배경 3
1.2.1. 나노결정 박막의 전하 수송 3
1.2.2. 리간드 치환의 한계와 표면 결함 6
1.2.3. 전계 효과 트랜지스터의 구조와 전기적 특성 11
2. 실험 방법
2.1. 실험재료 16
2.2. InAs 나노결정 박막 FET 제조 및 측정법 16
2.3. DMA-/TMS-InAs 나노결정 박막의 물성 분석 18
3. 실험 결과 및 고찰
3.1. 전구체에 따른 InAs 나노결정의 기하학적 형상 분석 20
3.2. 반용매 처리에 따른 전기적 특성 변화 23
3.3. FT-IR 분석을 통한 나노결정 표면 리간드 보존 입증 26
3.4. XRR 분석을 통한 박막의 고밀도화 입증 29
3.5. AFM 분석을 통한 박막의 표면 형상 분석 36
3.6. 반용매 공정을 적용한 광트랜지스터 제작 및 성능 평가 41
4. 결론 43
참고 문헌 45
