반도체 박막 두께 조절을 통한 산화물 박막 트랜지스터의 내방사선 향상
Effect of Channel Thickness on Radiation Hardness of Solution-Processed Oxide Thin Film Transistors
- 주제어 (키워드) 산화물 , 전리 방사선 , 양성자 , 트랜지스터 , oxide , ionizing radiation , proton , transistors
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 김충익
- 발행년도 2023
- 학위수여년월 2023. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 화공생명공학과
- 실제 URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000069921
- UCI I804:11029-000000069921
- 본문언어 한국어
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