4H-SiC UMOSFET의 gate dielectric 물질에 따른 온도 신뢰성 분석
Temperature reliability analysis according to the gate dielectric material of 4H-SiC UMOSFET
- 주제(키워드) 도움말 4H-SiC , UMOSFET , high-k , temperature characteristics , TCAD Simulation
- 발행기관 한국전기전자학회
- 발행년도 2021
- 총서유형 Journal
- 본문언어 한국어
