Hf 도핑 이종 이중층 구조를 적용한 In-Zn-O TFT의 AC 드레인 바이어스 안정성 향상
Improved AC Drain Bias Stability in In-Zn-O TFTs with Hf-Doped Heterobilayer Structure
- 주제어 (키워드) 이종 이중층 , 금속 산화물 , 교류 스트레스 , 박막 트랜지스터 , 핫캐리어 , TCAD 시뮬레이션
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 김충익
- 발행년도 2025
- 학위수여년월 2025. 8
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 화공생명공학과
- 실제 URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000081872
- UCI I804:11029-000000081872
- 본문언어 한국어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
목차
제 1장 서 론 1
1.1 연구배경 1
1.1.1. 산화물 박막 트랜지스터 1
1.1.2. AC 바이어스 스트레스와 핫 캐리어 효과 2
1.1.3. 기존 연구 동향 및 한계 3
1.1.4. 이종접합 이중층 채널 도입의 필요성 5
1.2. 연구목적 7
제 2장 실 험 9
2.1 전구체 용액 제조 9
2.2 소자 제작 10
2.3 박막 특성 분석 11
2.4 소자 특성 평가 및 스트레스 조건 12
2.5 시뮬레이션 방법론 13
제 3장 실험결과 및 고찰 14
3.1 Hf 도핑 농도 설정 14
3.2 전기적 특성 및 AC 드레인 바이어스 안정성 19
3.2.1. AC 파라미터 설정 19
3.2.2. 교류전압 전후 전압-전류 특성 21
3.2.3. PBS 테스트 결과 25
3.2.4. Al 확산 가능성 검토 27
3.2.5. 커패시턴스-전압(C-V) 특성 29
3.3 Hf 도핑이 박막에 미치는 영향 31
3.3.1. 박막 특성 변화 (AFM) 31
3.3.2. 화학적 환경 변화 (XPS) 33
3.4 이종접합 계면의 2DEG 분석 36
3.4.1. 에너지 밴드 구조 36
3.4.2. 2DEG 분석 40
3.5 TCAD 시뮬레이션 43
3.5.1. 상태 밀도 함수(DOS) 추출 43
3.5.2. 전자 밀도 변화 47
제 4장 결 론 51
참고문헌 52

