검색 상세

Hf 도핑 이종 이중층 구조를 적용한 In-Zn-O TFT의 AC 드레인 바이어스 안정성 향상

Improved AC Drain Bias Stability in In-Zn-O TFTs with Hf-Doped Heterobilayer Structure

목차

제 1장 서 론 1
1.1 연구배경 1
1.1.1. 산화물 박막 트랜지스터 1
1.1.2. AC 바이어스 스트레스와 핫 캐리어 효과 2
1.1.3. 기존 연구 동향 및 한계 3
1.1.4. 이종접합 이중층 채널 도입의 필요성 5
1.2. 연구목적 7

제 2장 실 험 9
2.1 전구체 용액 제조 9
2.2 소자 제작 10
2.3 박막 특성 분석 11
2.4 소자 특성 평가 및 스트레스 조건 12
2.5 시뮬레이션 방법론 13

제 3장 실험결과 및 고찰 14
3.1 Hf 도핑 농도 설정 14
3.2 전기적 특성 및 AC 드레인 바이어스 안정성 19
3.2.1. AC 파라미터 설정 19
3.2.2. 교류전압 전후 전압-전류 특성 21
3.2.3. PBS 테스트 결과 25
3.2.4. Al 확산 가능성 검토 27
3.2.5. 커패시턴스-전압(C-V) 특성 29
3.3 Hf 도핑이 박막에 미치는 영향 31
3.3.1. 박막 특성 변화 (AFM) 31
3.3.2. 화학적 환경 변화 (XPS) 33
3.4 이종접합 계면의 2DEG 분석 36
3.4.1. 에너지 밴드 구조 36
3.4.2. 2DEG 분석 40
3.5 TCAD 시뮬레이션 43
3.5.1. 상태 밀도 함수(DOS) 추출 43
3.5.2. 전자 밀도 변화 47

제 4장 결 론 51

참고문헌 52

more