Ferroelectric feedback field-effect transistor (Fe-FBFET) as a delay-synapse device for spiking neural network
- 주제어 (키워드) Spiking neural network , Synaptic delay , Ferroelectric Feedback field effect transistor , Synaptic device , 스파이킹 신경망 , 시냅스 지연 , 강유전체 피드백 전계 효과 트랜지스터 , 시냅스 소자
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 김상완
- 발행년도 2025
- 학위수여년월 2025. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 실제 URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000079786
- UCI I804:11029-000000079786
- 본문언어 영어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
목차
Chapter 1. Introduction 1
1.1 Limitations of von Neumann Architecture 1
1.2 Biological nervous system 3
1.3 Spiking neural network (SNN) 5
1.4 Synaptic delay 7
1.5 Outline of the dissertation 10
Chapter 2. Ferroelectric feedback field-effect transistor (Fe-FBFET) 11
2.1 Ferroelectric feedback field-transistor (Fe-FBFET) 11
2.1.1 Operation mechanism of FBFET 11
2.1.2 Delay modulation function of FBFET 13
2.1.3 FBFET with ferroelectric layer 13
2.2 Simulation study of Fe-FBFET 15
2.2.1 Device configuration 15
2.2.2 TCAD simulation result for program and erase 17
2.2.3 Inhibition bias scheme for array operation 22
Chapter 3. Hardware-aware SNN simulation 25
3.1 Implementation of Fe-FBFET in SNN 25
3.2 Simulation results 27
Chapter 4. Conclusion 33
Bibliography 34
