서강대학교

목차

1. 서론 1
1.1. 연구 배경 1
1.2. 이론적 배경 3
1.2.1. 양자점 도핑 3
1.2.2. 박막 트랜지스터와 도핑에 따른 성능 평가 8
1.2.3. 양자점 박막의 전하 이동 13
2. 실험 방법 15
2.1. 실험재료 15
2.2. Ag 도핑된 p형/n형 InAs 양자점 박막 FET 제조 및 측정 15
2.3. Ag 도핑된 p형/n형 InAs 양자점 박막의 물성 측정 17
3. 실험 결과 및 고찰 19
3.1. p형/n형 InAs 양자점 박막의 전기적 특성 19
3.1.1. Ag 도핑된 n형 InAs 양자점 박막의 전기적 특성 19
3.1.2 Ag 도핑된 p형 InAs 양자점 박막의 전기적 특성 21
3.2. Ag 도핑된 p형/n형 InAs 양자점 물성 분석 23
3.2.1. Ag 도핑된 p형/n형 InAs 양자점 광학 특성 23
3.2.2. Ag 도핑된 p형/n형 InAs 양자점 에너지 레벨 분석 26
3.3. Ag 도핑된 p형/n형 InAs 양자점 정량 분석 28
3.3.1. XPS를 통한 원소 분석 28
3.3.2. GI-XRD를 통한 격자 분석 31
3.4. Ag 도핑된 p형/n형 InAs 양자점 도핑 메커니즘 및 에너지 베리어 계산 36
4. 결론 42
참고 문헌 44