Electrolyte-Gated Transistors Based on Semiconductor Nanomaterials for Unconventional Device Structures
반도체 나노물질 기반 비전통적 소자 구조의 전해질 게이팅 트랜지스터 연구
- 주제어 (키워드) coplanar-gate electric double layer transistors , vertical electrochemical transistors , graphene , quantum dots , ion-gel , 동일 평면 게이트 전기이중층 트랜지스터 , 수직형 전기화학 트랜지스터 , 그래핀 , 양자점 , 이온젤
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 강문성
- 발행년도 2024
- 학위수여년월 2024. 8
- 학위명 박사
- 학과 및 전공 일반대학원 화공생명공학과
- 실제 URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000078851
- UCI I804:11029-000000078851
- 본문언어 영어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
목차
Chapter 1. Introduction
1.1 Introduction 1
1.1.1 Background of Electrolyte-Gated Transistors 1
1.1.2 Electrochemical Transistors 5
1.2 Thesis Overview 11
1.3 References 13
Chapter 2. Unconventional Structures of EGTs
2.1 Introduction 20
2.2 Unconventional Structures of EGTs 24
2.2.1 Coplanar-Gated EDLTs 24
2.2.2 Vertical ECTs 30
2.3 References 40
Chapter 3. Electric Double Layer Transistors Based on Graphene
3.1 Introduction 47
3.2 Experimental Section 49
3.3 Results and Discussion 52
3.3.1 Description of Ion-Gel Patterning Based on ODTS 52
3.3.2 Distance-Dependent Electrical Characteristics of cg-Graphene
EDLTs 55
3.3.3 Distance-Dependent Electrical Characteristics of cfg-Graphene
EDLTs 58
3.4 Conclusion 65
3.5 Reference 66
Chapter 4. Electrochemical Transistors Based on Quantum Dots
4.1 Introduction 69
4.2 Experimental Section 71
4.3 Results and Discussion 73
4.3.1 Electrical Characteristics of Coplanar QECTs 73
4.3.2 Volumetric Capacitance of QD Films 81
4.3.3 Electrical Characteristics of Vertical QECTs 83
4.4 Conclusion 91
4.5 Reference 92
