교류 전압 하에서 안정성을 지닌 용액공정 기반 이중층 채널 산화물 박막 트랜지스터 개발
Bilayer Channel Structure to Improve the Stability of Solution-Processed Metal Oxide Transistors Under AC Stress
- 주제어 (키워드) 이중층 채널 , 금속 산화물 , 교류 스트레스 , 박막 트랜지스터 , 핫 캐리어 , 에너지 장벽 , bilayer channel , metal oxide , AC stress , thin film transistor , hot carrier , energy barrier
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 김충익
- 발행년도 2023
- 학위수여년월 2023. 8
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 화공생명공학과
- 실제 URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000076255
- UCI I804:11029-000000076255
- 본문언어 한국어
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