Design optimization of heterojunction 1T DRAM cell with SiGe body/drain for high performance
- 주제(키워드) 도움말 heterojunction , 1T DRAM , silicon-germanium (SiGe) , retention time , sensing margin , write efficiency , erase efficiency
- 발행기관 IOP Publishing Ltd
- 발행년도 2022
- 총서유형 Journal
- 본문언어 영어
