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High performance 4H-SiC MOSFET with deep source trench
Na, Jaeyeop
,
Cheon, Jinhee
,
Kim, Kwangsoo
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
, 2022, Vol.37 No.4
원문보기
주제(키워드) 도움말
4H-SiC
,
double trench
,
source trench
,
parasitic capacitance
,
switching energy loss
발행기관
IOP Publishing Ltd
발행년도
2022
총서유형
Journal
본문언어
영어
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