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Single-Event Burnout Hardening 4H-SiC UMOSFET Structure
Kim, Junghun
,
Kim, Kwangsoo
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY
, 2022, Vol.22 No.2, 164-168
원문보기
주제(키워드) 도움말
4H-SiC
,
double trench
,
single-event burnout
,
heterojunction diode
발행기관
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
발행년도
2022
총서유형
Journal
본문언어
영어
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