Influence of Azimuthal Charge Redistribution on Data Retention of Hemi-Cylindrical Vertical NAND Flash Memory
방위각 전하 재분배가 반원통형 수직 낸드 플래시 메모리의 데이터 유지에 미치는 영향
- 주제어 (키워드) hemi-cylindrical vertical NAND (HC VNAND) flash memory , channel hole remaining ratio (CHRR) , azimuthal redistribution (AR) , data retention , 반원통형 수직 낸드 플래시 (HC VNAND) 메모리 , 채널 홀 잔존율 (CHRR) , 방위각 전하 재분배 (AR) , 데이터 유지
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 김광수
- 발행년도 2023
- 학위수여년월 2023. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 실제 URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000070040
- UCI I804:11029-000000070040
- 본문언어 영어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
초록 (요약문)
The reliability issues of the hemi-cylindrical (HC) vertical NAND (VNAND) flash memory are investigated with various channel hole remaining ratios (CHRRs). Unlike conventional VNAND cells, carriers are non-uniformly injected in the charge-trap layer in the case of HC VNAND ones during program/erase operation. Thus, in addition to conventional retention failure mechanisms (e.g. lateral charge migration), a novel charge redistribution mechanism is investigated and analyzed: azimuthal charge redistribution (AR). The simulation and experimental results show that AR is a major component of the data retention as a function of the CHRR of HC VNAND cells.
more초록 (요약문)
반원통형 (HC) 수직 낸드 (VNAND) 플래시 메모리의 신뢰성 특성을 다양한 채널 홀 잔존비 (CHRR)에 대하여 분석하였다. HC VNAND 셀은 기존 VNAND 셀과 달리 프로그램/삭제 동작 시 전하가 전하 저장 층 (CTL)에 불균일하게 주입된다. 따라서 기존의 보존 실패 메커니즘(예: 횡방향 전하 이동 (LM)) 외에도 새로운 전하 재분배 메커니즘인 방위각 전하 재분배 (AR)를 발견하고 분석한다. HC VNAND 셀의 CHRR에 대한 데이터 유지 특성 중 AR이 주요 구성 요소임을 시뮬레이션 및 실험 결과를 통해 입증한다.
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