Snapback Breakdown Voltage Dependence on Source/Drain Configuration in Multi-Finger MOSFETs
멀티핑거 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터의 소스/드레인 구성에 따른 스냅백 항복 전압 의존성
- Subject Multi-finger MOSFET , snapback breakdown , parasitic bipolar junction transistor , pocket implantation , 멀티핑거 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 , 스냅백 항복 , 기생 양극성 접합 트랜지스터 , 포켓 삽입
- Publisher 서강대학교 일반대학원
- Advisor 김광수
- Issued Date 2023
- Awarded Date 2023. 2
- Thesis Degree 석사
- Major 일반대학원 전자공학과
- URI Entity http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000069928
- UCI I804:11029-000000069928
- Language 영어
- Rights 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
Abstract
The snapback breakdown behavior of multi-finger MOSFETs was investigated using a device simulation. Snapback breakdown voltage (SNBV) varies depending on the source/ drain configuration even with the same two-finger structure. It results from the hole current crowding below the shared source, which further increases forward biasing at the source-substrate junction and eventually leads to premature activation of the parasitic bipolar junction transistor (BJT). Double-pocket implantation successfully suppresses the hole current crowding and also achieves higher SNBV for two-finger MOSFET. This study is expected to be helpful in determining the highest allowable voltage and circuit reliability in nonvolatile memory.
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멀티핑거 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 스냅백 항복 동작은 시뮬레이션을 사용하여 조사되었다. 동일한 2-핑거 구조에서도 소스/드레인 구성에 따라 스냅백 항복 전압이 달라지는 것이 확인되며 이러한 차이는 소스 영역 아래로 응집하는 기판 정공 전류로 인하여 발생한다. 공유 소스 구조에서만 관찰되는 정공 전류 응집은 소스-기판 접합에서의 순방향 바이어싱을 더욱 증가시키고 기생 양극성 접합 트랜지스터의 조기 활성화를 초래한다. 이중 포켓 삽입을 적용함으로써 2-핑거 MOSFET에서 정공 전류 응집이 성공적으로 억제되고 기존보다 높은 스냅백 항복 전압이 달성된다. 본 연구 결과는 비휘발성 메모리 내 최고 허용 전압 및 회로 신뢰성에 기여할 것으로 기대한다.
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