Electrical Characteristics of Hemi-Cylindrical Vertical NAND Flash Memory according to Channel Hole Remaining Ratio
채널 홀 잔존율에 따른 반원통형 수직 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성
- 주제어 (키워드) Vertical NAND flash memory , VNAND , Channel hole remaining ratio , Recessed channel structure , Nonvolatile memory , 수직 낸드 플래시 메모리 , 채널 홀 잔존율 , 리세스드 채널 구조 , 비휘발성 메모리
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 김광수
- 발행년도 2023
- 학위수여년월 2023. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 실제 URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000069876
- UCI I804:11029-000000069876
- 본문언어 영어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
초록 (요약문)
반원통형 수직 낸드 (HC VNAND) 플래시 메모리의 전기적 특성을 시뮬레이션 및 실험 데이터를 통하여 분석하였다. HC VNAND 플래시 메모리는 횡 방향의 메모리 밀도를 높이는 데 이점이 있지만, 불균일한 캐리어 주입과 낮은 쓰기/지우기 효율로 어려움을 겪고 있다. 본 연구에서는 이와 같은 전기적인 특성을 제안된 매개 변수인 채널 홀 잔존율 (CHRR)의 관점에서 논의한다. 마지막으로, 분석에 기초하여 리세스드 채널 HC VNAND 플래시 메모리를 소자의 구조적 해결책으로써 제안한다.
more초록 (요약문)
Electrical characteristics of hemi-cylindrical (HC) vertical NAND (VNAND) flash memory is investigated using both simulation and experimental data. Although HC VNAND flash memory is advantageous for increasing memory density in lateral dimension, it suffers from nonuniform carrier injection and low program/erase efficiency. In this study, the underlying physics of these disadvantages are discussed in terms of the proposed parameter, channel hole remaining ratio (CHRR). Finally, based on the analysis, a recessed channel HC VNAND flash memory is proposed for a cell structural solution.
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