스위칭 손실을 줄인 1700 V 4H-SiC Double Trench MOSFET 구조
A Novel 1700V 4H-SiC Double Trench MOSFET Structure for Low Switching Loss
- 주제(키워드) 도움말 4H-SiC , DT-MOSFET , TCAD simulation , Crss , switching performance
- 발행기관 한국전기전자학회
- 발행년도 2021
- 총서유형 Journal
- 본문언어 한국어
A Novel 1700V 4H-SiC Double Trench MOSFET Structure for Low Switching Loss
