Multi-Layer Nanoelectromechanical (NEM) Memory Switches for Efficient Routing Operation
효율적인 다중 경로 라우팅을 위한 다층 구조 나노전기기계 메모리 스위치
- 주제어 (키워드) Multi-layer , nano-electromechanical (NEM) memory switch , monolithic three-dimensional (M3D) , reconfigurable multi-path routing , multi-layer , NEM(나노 전자 기계) 메모리 스위치 , M3D(모놀리식 3차원) , 재구성 가능한 다중 경로 라우팅
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 최우영
- 발행년도 2022
- 학위수여년월 2022. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 실제 URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000066387
- UCI I804:11029-000000066387
- 본문언어 영어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
초록 (요약문)
Multi-layer NEM memory switches which are vertically stacked on n individual metal layers are proposed for the improvement of multi-path routing problems of conventional complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) reconfigurable logic (RL) operations. Each NEM memory switch integrated in different metal layers operates independently in a nonvolatile manner including a high impedance state. For example, two NEM memory switches located in two metal layers implement nine(=32) states. It is predicted that our proposed multi-layer NEM memory switches utilizing n separate metal layers will exhibit 3(n-1)x higher routing flexibility and nx higher chip density than conventional NEM memory switches in a single layer. This study is expected to help the efficient operation of CMOS-NEM RL.
more초록 (요약문)
기존의 CMOS(Complementary-metal-oxide-semiconductor) 재구성 가능 논리 회로의 다중 경로 라우팅의 문제점을 해결하기 위해 n개의 개별 금속 레이어에 수직 적층된 나노 전기 기계 (NEM) 메모리 스위치를 제안한다. 서로 다른 금속 층에 집적된 각 NEM 메모리 스위치는 높은 임피던스 상태를 포함하여 비 휘발성 방식으로 독립적으로 작동한다. 예를 들어, 2개의 금속 층에 위치한 2개의 NEM 메모리 스위치는 9(=32)개의 서로 다른 상태를 구현한다. n개의 개별 금속 레이어를 사용하는 제안된 다중 레이어 NEM 메모리 스위치는 단일 레이어의 기존 NEM 메모리 스위치보다 3(n-1)배 더 높은 라우팅 유연성과 nx 더 높은 칩 밀도를 나타낼 것으로 예상된다. 본 연구의 결과는 CMOS-NEM 재구성 가능 논리 회로의 효율적 동작에 기여할 것으로 기대한다.
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