Investigation on the Hump Behavior of Gate-Normal Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors (NWTFETs)
게이트 노멀 나노 와이어 터널 전계 효과 트랜지스터의 험프 동작에 대한 조사
- 주제(키워드) hump behavior , corner , surface potential , gate-normal nanowire tunnel field-effect transistor (NWTFET) , 험프 동작 , 모서리 , 표면 전위 , 게이트 노멀 나노와이어 터널 전계 효과 트랜지스터 (NWTFET)
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 최우영
- 발행년도 2021
- 학위수여년월 2021. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- UCI I804:11029-000000065719
- 본문언어 영어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권보호를 받습니다.
초록/요약
The hump behavior of gate-normal nanowire tunnel field-effect transistors (NWTFETs) is investigated by using a three-dimensional technology computer-aided design (TCAD) simulation. The simulation results show that the hump behavior degrades the subthreshold swing (SS) and on-current (Ion) because the corners and sides of nanowires (NWs) have different surface potentials. The hump behavior can be successfully suppressed by increasing the radius of curvature (R) of NWs and reducing gate insulator thickness (Tins).
more초록/요약
게이트 노멀 나노 와이어 터널 전계 효과 트랜지스터 (Gate-normal NWTFETs)의 험프 동작은 3차원 TCAD (Technology computer-aided design) 시뮬레이션을 사용하여 연구되었다. 시뮬레이션 결과는 나노 와이어의 모서리와 측면이 서로 다른 표면 전위를 갖기 때문에 험프 동작이 문턱전압 이하 기울기 (SS)와 전류의 세기 (Ion)를 저하시키는 것으로 나타났다. 나노 와이어의 곡률 반경 (R)을 늘리고 게이트 절연체 두께 (Tins)를 줄임으로써 험프 동작을 성공적으로 억제할 수 있다.
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