Tri-State Nanoelectromechanical Memory Switches for an Efficient Routing in Reconfigurable Logic
재구성 가능 로직에서 효율적인 라우팅을 위한 3-상태 나노전기기계 메모리 스위치
- 주제(키워드) High impedance , nanoelectromechanical (NEM) memory switch , reconfigurable logic (RL) , tri-state operation , complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) , CMOS-NEM , 고 임피던스 , 나노전기기계 (NEM) 메모리 스위치 , 재구성 가능 논리 , 3-상태 동작 , complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) , CMOS-NEM.
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 최우영
- 발행년도 2021
- 학위수여년월 2021. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- UCI I804:11029-000000065678
- 본문언어 영어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권보호를 받습니다.
초록/요약
Tri-State nanoelectromechanical (NEM) memory switches are proposed for the implementation of high-impedance state 0 in addition to low-impedance states 1 and 2 for the improvement of conventional complementary metal-oxide-semiconductor-NEM (CMOS-NEM) reconfigurable logic (RL) operations. Although it is well known that the high impedance state of routing switches is essential to prevent the unnecessary data throughput of RL circuits, previously proposed NEM memory switches have only implemented binary states: states 1 and 2. On the contrary, our proposed NEM memory switches can have tri-states, which are achieved by modifying their operation methods and design guidelines. This study is expected to help the efficient operation of CMOS-NEM RL.
more초록/요약
기존의 CMOS-NEM (Complementary-metal-oxide-semiconductor-nanoelectromechanical) 재구성 가능 논리회로의 문제점을 해결하기 위해, 저 임피던스 상태 (상태 1 및 2)와 더불어 고 임피던스 상태 (상태 0)의 구현을 위한 3-상태 나노 전기 기계 (NEM) 메모리 스위치를 제안한다. 라우팅 스위치의 고 임피던스 상태는 RL 회로의 불필요한 데이터 처리를 방지하는 데 필수적이라는 것은 잘 알려져 있지만, 이전에 제안된 NEM 메모리 스위치는 저 임피던스 상태인 상태 1과 2 만 구현했다. 그러나, 본 논문에서 제안한 NEM 메모리 스위치의 작동 방법 및 설계 가이드라인을 따른다면, 상태 0 구현을 통하여, 세 가지의 상태를 구현할 수 있다. 본 연구의 결과는 CMOS-NEM 재구성 가능 논리회로의 효율적 동작에 기여할 것으로 기대한다.
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