Low Resistance Co Silicide Contact Formation for 4H-SiC Devices
4H-SiC 소자를 위한 저 저항 코발트 실리사이드 접촉 형성
- 주제(키워드) 4H-SiC , Co silicide , Ohmic contact , Specific contact resistivity , Thermal stability
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 김광수
- 발행년도 2020
- 학위수여년월 2020. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- UCI I804:11029-000000064862
- 본문언어 영어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권보호를 받습니다.
초록/요약
SiC는 광대역 에너지 밴드갭과 높은 열 전도성으로 인해 전력 반도체 소자에 유망한 재료이다. 그러나, 금속 -SiC 계면에 남아있는 탄소는 옴 접촉에 악영향을 미친다. 결과적으로, 옴 접촉 특성이 악화되고 장치의 온 상태 전력 손실이 증가한다. 또한, 금속 -SiC 계면에서의 탄소는 반도체 소자의 고온 열 안정성을 저하시킨다. 이 논문에서 Co/Si/Co/Si는 옴 접촉 재료로 사용되어 탄소의 형성을 줄이고 열 안정성을 향상시킵니다. 접촉 저항을 측정하여 저항성 접촉에 대한 Co : Si 조성비 및 어닐링 조건의 영향을 분석 하였다. 열 지속 시간 테스트를 통해 접촉 저항을 측정하여 열 안정성을 조사했다. XRD(X-Ray Diffraction)를 사용하여 측정 결과를 분석 하였다.
more초록/요약
SiC is promising material for power devices because of its wide band gap and high thermal conductivity. However, carbon remaining at the metal-SiC interface (carbon cluster) adversely affects ohmic contacts. As a result, the ohmic contact characteristic worsens and the on state power loss of the device increases. In addition, the carbon cluster at the metal-SiC interface degrades the device's high temperature thermal stability. In this paper, Co/Si/Co/Si is used as ohmic contact material to reduce carbon cluster and improve thermal stability. The specific contact resistivity was measured and the effect of Co : Si composition ratio and annealing condition on ohmic contact was analyzed. Thermal stability was investigated by measuring specific contact resistivity through thermal duration test. The measurement results were analyzed using the X-Ray Diffraction (XRD) method.
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