개선된 스위칭 속도를 갖는 새로운 구조의 수직형 전력 MOSFET
A Novel structure of Vertical Power MOSFET with improved switching speed
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 김광수
- 발행년도 2013
- 학위수여년월 2013. 8
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 도움말 일반대학원 전자공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000052510
- 본문언어 한국어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
초록/요약 도움말
The Separate Gate Technique(SGT) to improve the switching characteristics of Trench power MOSFET was proposed. Low gate-to-drain charge (Miller charge : ) has to be achieved to improve the switching characteristics of Trench power MOSFET. A thin poly-silicon deposition is processed to form side wall which is used as gate and thus, it has thinner gate compared to the gate of conventional Trench MOSFET. The reduction of the overlapped area between the gate and the drain decreases the overlapped charge, and the performance of the proposed device is compared to the conventional Trench MOSFET using Silvaco T-CAD. (input capacitance : ), (output capacitance : ) and (reverse recovery capacitance : ) are reduced to 14.2%, 21.7% and 30% respectively. To confirm the reduction effect of capacitance, the characteristics of inverter circuit is comprised. Consequently, the reverse recovery time is reduced by 12%. The proposed device can be fabricated with conventional processes without any electrical property degradation compare to conventional device.
more초록/요약 도움말
Trench Gate Power MOSFET의 스위칭 성능을 향상시키기 위한 Separate Gate Technique (SGT) MOSFET을 제안하였다. trench gate power MOSFET의 스위칭 성능을 개선시키기 위해서는 낮은 gate-to-drain charge (Miller charge)가 요구된다. 이를 위하여 제안된 separate gate technique은 얇은(~500)의 poly-si을 deposition하여 side wall을 형성함으로서, 기존의 trench gate power MOSFET에 비해 얇은 게이트를 형성하였다. 이 효과로 게이트와 드레인이 overlap 되는 면적을 줄일 수 있어 게이트 bottom에 쌓이는 를 감소시키는 효과를 얻었고, 이에 따른 전기적인 특성을 Silvaco T-CAD simulation tool을 이용하여 일반적인 trench gate power MOSFET과 성능을 비교하였다. 그 결과 (input capacitance : ), (output capacitance : ) 및 (reverse recovery capacitance : ) 모두 개선되었으며, 각각 14.2%, 21.7%, 30%의 capacitance 감소 효과를 확인하였다. 또한 inverter circuit을 구성하여, 와 capacitance 감소로 인한 12%의 reverse recovery time의 성능향상을 확인하였다. 또한 제안된 소자는 기존 소자와 비교하여 어떠한 전기적 특성저하 없이 공정이 가능하다.
more