PMMA 절연층을 이용한 펜타센 유기박막트랜지스터(OTFT)의 전열처리 효과에 관한 연구
Pre-annealing effects on the pentacene organic thin film transistors(OTFT) with PMMA dielectric layers
- 주제(키워드) 도움말 PMMA , pentacene , OTFT , pre-annealing
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 이기진
- 발행년도 2013
- 학위수여년월 2013. 8
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 도움말 일반대학원 물리학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000052503
- 본문언어 한국어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작권 보호를 받습니다.
초록/요약 도움말
본 논문에서는 펜타센 유기박막트랜지스터는 폴리메틸메타크릴레이트수지(PMMA(Poly(methyl methacrylate)) 게이트 절연층을 이용하여 제작하였고, 전열처리 온도에 따른 펜타센 유기박막트랜지스터의 특성변화에 대해 연구하였다. 전열처리에 의한 펜타센 박막의 결정구조 변화를 알아보기 위해 다양한 전열처리 온도 (실온, 90°C, 120°C, 150°C)에서 scanning electron microscope, x-ray diffraction, atomic force microscope을 이용하여 관측하였다. 실온에서 150°C로 증가할수록 펜타센의 bulk phase는 thin film phase보다 우세해지고 이동도와 전류점멸비는 감소한다. PMMA 게이트 절연층 위에 증착된 펜타 센 박막을 갖는 유기박막트랜지스터가 이동도 0.21 cm2/V·s, 전류 점멸비 105, 문턱 전압 약 -4V 로 가장 향상된 전기적인 특성을 나타내었다.
more초록/요약 도움말
Pentacene thin film transistors with polymethylmethacrylate (PMMA) gate dielectric layers were fabricated on Si substrates. In order to study on the effect of pre-annealing, a scanning electron microscope, an x-ray diffraction, and an atomic force microscope were used to observe the changes in the crystal structures of the pentacene thin films with various pre-annealing temperature. At the substrate temperature was increased from RT to 150 °C, the bulk phases of pentacene became more dominant, and the hole mobility and the on/off current ratio decreased on the SiO2 as an insulator layer. In contrast to the bulk phase cannot dominate the polymorph on the PMMA as an insulator layer. Pentacene OTFTs with PMMA as an insulator layer exhibited enhanced electric characteristics, including hole mobility of 0.21 cm2/V·s, on/off current ratio of 105 or larger, and the threshold voltage of less than -4V.
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