다중비트 동작을 위한 비휘발성 나노 전기기계 T 메모리 셀
Nano-Electromechanical (NEM) Nonvolatile Memory Cells (T cells) for Multi-Bit operation
- 주제(키워드) 나노 전기기계 메모리 , T cell , 다중비트 동작
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 최우영
- 발행년도 2012
- 학위수여년월 2012. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000047189
- 본문언어 한국어
- 저작권 서강대학교 논문은 저작원 보호를 받습니다.
초록/요약
본 논문은 다중비트 동작을 위한 전기기계 메모리 T 셀을 제안하고, 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 통해 입증하였다. T 셀은 두 개의 금속 라인 층으로 제조 가능하기 때문에, H 셀에 비하여 간단한 공정구조를 가지고 있다. 따라서, T 셀은 향후 저비용의 임베디드 비휘발성 메모리 응용에 사용될 수 있다. 또한, T 셀의 다중비트 동작에 대해서도 해석적으로 모델링 하였고, 모델링 결과에 기반하여 원활한 다중비트 디자인에 대한 가이드 라인을 제시하였다. 원활한 다중비트 동작을 위한 Vrelease(release voltage)의 큰 변화는 전하 트랩층과 빔 간의 초기 간격(tgap1), 보조워드라인과 빔 간의 초기 간격(tgap2), 빔의 두께(tbeam)와 영률(Young’s modulus)(E)을 감소시키거나, 유효 산화막 두께(tox,eff)와 빔의 길이(Lbeam)을 증가시킴으로 확인할 수 있다.
more초록/요약
In this thesis, a novel nano-electromechanical memory cell (T cell) has been proposed and successfully demonstrated by the simulation results and experimental results. The proposed T cell has simpler fabrication process than the previously-reported H cell because the T cell needs only two metal line layers. T cells can be used for low cost embedded nonvolatile memory applications. Also, the multi-bit operation of T cells has been modeled analytically. Based on the modeling results, the design guideline for stable multi-bit operation has been presented. Large release voltage shift can be obtained by decreasing the initial gap between the charge-trapped layer and beam (tgap1), initial gap between the assistant word line and beam (tgap2), beam thickness (tbeam) and Young’s modulus (E) or by increasing the effective oxide thickness (tox,eff) and beam length (Lbeam).
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