Electro Ion Beam Sputtering System을 이용한 금속 및 반도체 박막의 배향성 조절
- 주제(키워드) Electro Ion Beam Sputtering System , Pt , Cu , TiO2
- 발행기관 서강대학교 일반대학원
- 지도교수 윤경병
- 발행년도 2011
- 학위수여년월 2011. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 화학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000046386
- 저작권 서강대학교의 논문은 저작권 보호를 받습니다.
초록/요약
Part 1. 금속 박막의 배향성 조절 본 연구에서는 Ion Beam assisted RF Magnetron sputtering 장비를 이용하여 대표적인 전극물질인 Pt, Cu 박막의 형성조건을 제시하였다. 특히 Ion Beam power를 증가시키면서 증착된 Pt 박막의 경우(200) 면에 그리고 Cu의 경우 (111)면에 대한 배향성이 증가되고 있다. 이는 특정한 배향을 가지는 금속박막 형성법에 대한 새로운 방법을 제시하는데 의의가 있다. Part 2. 반도체 박막의 배향성 조절 본 연구에서는 r.f. Magnetron Sputtering System과 Electro Ion Beam Sputtering System을 이용하여 대표적인 광촉매 물질인 TiO2 박막을 증착하였다. r.f. Magnetron Sputtering System을 이용하여 증착한 TiO2 박막은 (004)면이 우세한 배향성을 가지게 되고, Electro Ion Beam Sputtering System을 이용하여 증착한 TiO2 박막은 (101)면에 대한 배향성이 증가됨을 관찰하였다. 이는 광촉매 반응에서 높은 환원 능력을 가지는 Anatase TiO2의 (101)면을 최대로 노출시키는 반도체 박막의 형성조건을 제시하는데 의의가 있다.
more초록/요약
Part 1. Orientation Control of Metal Films We displayed the detailed deposition conditions of Pt and Cu thin film by using an Ion Beam assisted RF Magnetron sputtering. In particulars, as the Ion Beam power was increased during the deposition process, there are significant tendencies for preferred orientation along the (200) and (111) axis in case of Pt and Cu films, respectively. The observed fact suggest the new guide for preparation of preferred-oriented metal thin film. Part 2. Orientation Control of Metal Oxide Films We displayed the detailed deposition conditions of TiO2 thin film by using an Ion Beam assisted RF Magnetron sputtering and a conventional RF Magnetron sputtering, respectively. In particulars, as the Ion Beam power was exposed during the deposition process, there is a significant tendency for preferred orientation along the (101) axis in case of TiO2 films. Otherwise, there is a significant tendency for preferred orientation along the (004) axis in case of TiO2 films depositied by using a conventional RF Magnetron sputtering. The observed fact suggest the new guide for preparation of preferred-oriented metal-oxide thin film. In addition, the fact that we can expose anatase (101) surface, indicating a higher reduction ability of this surface compared to other minority surfaces is of great significance.
more

