불소계 계면활성제를 첨가하지 않은 초임계유체를 이용한 금속배선 웨이퍼상의 Photo resist 제거에 관한 연구
A Study of Removing the Photo-resist Residue on the metal patterned wafer using Supercritical Carbon dioxide without Fluorinated Surfactant
- 주제(키워드) supercritical CO2
- 발행기관 서강대학교 공과대학원
- 지도교수 임종성
- 발행년도 2009
- 학위수여년월 2009. 2
- 학위명 석사
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/sogang/000000045148
- 본문언어 한국어
초록/요약
기존의 wafer는 물을 이용한 습식세정 공정을 통하여 잔류 포토레지스트를 제거하였다. 기존 습식 세정 공정은 대량의 초순수(Ultra Pure Water)를 소모하여 공정비용이 비싸며 오폐수를 대량으로 배출하고 물이 가진 높은 표면장력으로 차세대 반도체에 적용하기 힘들다. 이에 표면장력이 매우 작고 높은 용해력과 침투력을 나타낼 수 있는 물 대신 초임계 이산화탄소를 이용한 세정공정이 주목받고 있다. 기존 초임계 이산화탄소를 이용한 세정공정에서는 세정효율을 높이기 위한 세정첨가제의 균일상을 유지하기 위해 불소계 계면활성제를 사용하였는데, 불소계 계면활성제는 환경 친화적이지 못하며 상당히 고가여서 공정비용을 높이는 단점이 있다. 따라서 계면활성제를 최소화 하거나 계면활성제를 첨가하지 않는 공정 개발이 필요하다. 하지만 첨가제의 조합 비율에 따라 각 성분의 용해도에 영향을 받기 때문에 다양한 조합에 대한 실험이 필요하다. 또한 첨가제의 양이 많으면 폐수처리 문제와 잔여 용매 처리문제가 있기 때문에 첨가제의 양을 최소화할 필요성이 있기 때문에 첨가량을 최소화하는 실험도 동반적으로 수행하였다.
more목차
제Ⅰ장. 서론 = 1
A. 기존의 웨이퍼 세정 = 1
(1) 습식 화학 세정 = 2
(2) 건식 세정 = 4
B. 초임계 유체 세정 = 8
(1) 초임계 유체 기술 = 8
(2) 초임계 유체 세정공정 = 8
(3) 초임계 유체 세정기술의 응용 = 11
C. 계면활성제 = 13
제Ⅱ장. 실험 및 결과 = 15
A. 실험조건과 사용 시약 = 15
B. 사용된 BEOL Wafer (Back End of Line wafer) = 16
C. 실험장치 = 17
D. 실험방법 = 19
제Ⅲ장. 결과 = 20
A. 개요 = 20
(1) Reference Wafer = 20
(2) Table - No surfactant, additive = 21
(3) 실험 결과 용어 = 22
B. 실험 결과 및 토의 = 23
제Ⅳ장. 결론 = 44
참고문헌 = 46
