C60과 Alq3를 N형 유기반도체 물질로 사용한 세로형 유기박막트랜지스터의 특성 향상과 발광트랜지스터로의 응용에 관한 연구 : Characteristics of vertical type OTFTs using C60 and Alq3 as N-type semiconductor material and the application of organic light-emitting transistor
- 발행기관 서강대학교 대학원
- 지도교수 오세용
- 발행년도 2008
- 학위수여년월 2008. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 화학공학
- 식별자(기타) 000000107528
- 본문언어 한국어
목차
본 연구에서는 기존의 유기박막 트랜지스터의 문제점들을 개선시키기 위하여 C60과 Alq3를 n형 유기반도체 물질로 사용한 세로형 유기박막 트랜지스터를 제작하였다. 일반적으로 유기 트랜지스터에서는 전하의 이동도와 밀도가 소자의 성능에 많은 영향을 준다고 알려져 있다. 따라서, C60을 사용한 소자의 경우에는 소자의 성능을 개선시키기 위하여 일함수가 다른 여러 종류의 금속을 source와 gate 전극으로 사용하였다. Source와 gate 전극으로는 Au, Ag, Al, LiF/Al, LiAl가 사용되었는데, 금속의 일함수는 전자의 주입과 전자밀도에 영향을 주기 때문이다.
Alq3를 유기활성층으로 사용한 세로형 유기박막 트랜지스터에서는 소자의 특성을 최적화시키기 위하여 Alq3층의 표면 모폴로지를 변화시키면서 실험을 진행하였다. Alq3의 증착 속도와 기판의 온도를 제어함으로써 다양한 모폴로지를 가지는 Alq3의 박막을 형성할 수 있었다. Alq3를 활성층으로 사용한 세로형 유기박막 트랜지스터에서는 모폴로지 제어에 따른 Alq3 박막 표면의 입자의 크기와 평탄도가 소자의 성능에 미치는 영향을 조사하였다.
추가적으로 고분자 발광물질인 MEH-PPV와 신규 저분자 발광물질인 BPBBPE를 발광층으로 사용한 유기발광 트랜지스터의 가능성에 대하여 검토하였다.
목차
In the present work, we have fabricated the vertical type organic thin film transistors (OTFTs) using C60 and Alq3 as a n-type active material to improve the problems of conventional OTFTs. In general, it can be argued that the characteristics of organic transistor were influenced by carrier mobility and density. Thus, we have used several kinds of metals as source and gate electrodes to optimize the device characteristics using C60. Source and gate electrodes such as Au, Ag, Al, LiF/Al and LiAl are used, because the work-function of the electrodes affects on the electron injection and carrier density.
In the case of device using Alq3 as active layer, thin films containing various surface morphologies could be obtained by the control of evaporation rate and substrate temperature. The effects of the morphological control of Alq3 thin layer on the grain size and the flatness of film surface were investigated. The characteristics of vertical type OTFT was significantly influenced on the growth condition of Alq3 layer. The morphological effects of Alq3 thin film on the characteristics of vertical type transistor were investigated.
In addition, we have examined the feasibility of fabrication of organic light-emitting transistor (OLET) using MEH-PPV and BPBBPE as emission layer.
