Electrical properties of CeO2 thin films grown on p-si(100) by pulsed laser deposition
- 발행기관 서강대학교 대학원
- 지도교수 박광서
- 발행년도 2007
- 학위수여년월 200702
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 물리
- 식별자(기타) 000000103580
- 본문언어 영어
초록/요약
CeO2 thin films were deposited to on p-Si(100) using pulsed laser deposition(PLD) method investigate their electrical properties. Their various properties were analyzed by the following methods, First, the film’s crystal structure was investigated by the x-ray diffraction. Second, the oxygen vacancies which can obviously affect oxide trapped charges in MOS system will be analyzed by Raman spectroscopy as well as the interpretation of the structural distortion in that. Finally, x-ray reflectivity revealed the electron density profiles of the thin film, which can be directly used to extract VFB(flat band voltage). To be ultimate, more decisive method for evaluation of VFB will be represented with the various points of view.
more초록/요약
CeO2 박막의 전기적 특성을 조사하기 위하여 pulsed laser deposition 방법으로 얇게 증착되었다. 박막들의 다양한 물성을 파악하기 위하여 다음과 같은 방법으로 분석되었다. 첫 번째, 엑스레이 회절을 이용하여 박막의 크리스털 구조를 확인하였다. 두 번째, 라만 분광학을 이용하여 MOS (metal oxide semiconductor)시스템에서 CeO2 unit cell의 구조적인 왜곡과 함께 oxide trapped charge 에 영향을 줄 수 있는 산소빈자리가 조사되었다. 마지막으로 엑스레이 반사성을 이용하여 VFB (flatband voltage)의 값을 유추하는데 직접적으로 사용될 수 있는 박막의 전자밀도분포가 조사되었다. 궁극적으로 VFB 를 평가하는데 중요한 방법들을 다양한 관점에서 소개할 것이다.
more