근접장 마이크로파 현미경을 이용한 유기 박막 및 유기 발광 소자의 특성 연구 : The study of organic thin films and organic light emitting devices using near-field scanning microwave microprobe
- 발행기관 서강대학교 대학원
- 지도교수 이기진
- 발행년도 2006
- 학위수여년월 200608
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 물리
- 식별자(기타) 000000103235
- 본문언어 한국어
초록/요약
비접촉 비파괴 측정 방법인 근접장 마이크로파 현미경(NSMM)을 이용하여 유기 발광 소자(Organic light emitting devices : OLEDs)의 degradation 특성과 기판 열처리에 따른 유기 박막의 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 본 연구에서는 기판 열처리에 따른 유기 박막의 특성을 연구하기 위하여 Zinc Phthalocyanine과 Copper Phthalocyanine 박막을 제작하였다. 기판 열처리에 따른 흡수도와 band gap의 변화를 조사하여 박막의 광학적 특성을 연구하였고, 전기적 특성은 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 반사계수(S11)를 측정하여 연구하였다. 또한 유기 발광 소자의 degradation 특성 분석을 위하여 ITO/CuPc/TPD/Alq3/Al 구조의 OLEDs를 제작하여 광학 현미경으로 dark spot 영역을 관찰하고 형태에 따라 dark spot을 분류하였다. 또한 근접장 현미경의 반사계수 분석을 통해 dark spot과 정상 발광 영역을 비교 분석하였고, 인가 전압 증가에 따른 소자의 전기적 특성 변화를 분석하였다.
more초록/요약
We studied degradation property of Organic light emitting devices(OLEDs) and electrical characteristics of according to the various heat-treatment condition of organic thin film using Near-field Scanning Microwave Microscope(NSMM) that is noncontact and nondestructive measuring methode. In this report, for researching characteristics of organic thin film according to the heat-treatment conditions we produced a Zinc Phthalocyanine thin film and Copper Phthalocyanine thin film. We studied optical property of thin films by measuring absorption spectrum and band gap. And electrical characteristics was investigated from reflectivity coefficient analysis(S11) which was measured using NSMM. For analysis of degradation properties of OLEDs, OLEDs were constructed by the following material structures: indium-tin-oxide (ITO)/Copper Phthalocyanine (CuPc)/triphenyl-diamine (TPD)/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)/Aluminum (Al). We observed dark spots using optical microscope and those were classified by its configuration. Then we compared dark spots with normal emission area by analysis of S11 of NSMM. We studied the NSMM images by observing the change of various applied voltage change 0-13 V.
more